（原标题：SK Hynix 押注3D HBM）中联亿配
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全球顶级高带宽内存芯片制造商计划采用 HBM5 芯片的垂直内存堆叠技术。
全球最大的 DRAM 内存芯片制造商SK 海力士公司计划从其第五代高带宽内存（HBM5）中引入真正的 3D HBM，旨在重新定义人工智能内存芯片的竞争格局。
SK海力士的一位高管在周四的技术研讨会上表示，这家韩国芯片制造商正在积极研究 3D HBM 的实现，一种变革性的架构，其中 DRAM 芯片位于图形（GPU）的顶部，而不是放在其旁边。
SK海力士副总裁兼封装开发部门负责人李康旭
海力士副总裁兼封装开发部门负责人李康旭在电子和信息工程师协会年会上的主题演讲中表示：“在GPU上垂直查看DRAM可能会游戏规则。”
他表示，架构上的飞跃将显着减少数据传输延迟，同时提高带宽和功率效率，这其实是性能要求高的人工智能行业的关键指标。
该公司的HBM路线图，将从3D HBM推出，HBM5开始——该产品仍然领先几代。
SK海力士目前在HBM开发方面处于行业领先地位，其 HBM3E 芯片已投入量产，HBM4 预计将于今年晚些时候推出，HBM4E 将于 2026 年推出。
他表示，HBM5 中可能会引入 3D中联亿配，预示着该公司将采取长期战略，确保在生成 AI 模型所需的存储芯片式技术优势。
炙手可热的 AI 芯片市场
随着芯片微型化变得更加困难，3D芯片封装技术的竞争也愈演愈烈。SK海力士的同城竞争对手三星电子同时研发3D芯片封装技术，以努力追赶代工或芯片代工领域的领先者台湾半导体制造公司（TSMC）。SAINT（三星先进互连技术）计划将GPU芯片（包括AI芯片）所需的内存和处理器集成到更小的尺寸中。
首尔芯片峰会SEDEX 2024上SK海力士展位上展示的AI视频
封装是半导体制造的最后步骤之一，将芯片装入保护壳中以防止腐蚀，并提供接口来组合和连接已制成的芯片。
台积电、三星和英特尔等领先的芯片制造商正在争相竞争先进的封装技术，这种技术可以集成不同的半导体或垂直互连多个芯片。先进的封装可以将多个器件封装并封装为单个电子设备。半导体封装
技术可以提高性能，而进而通过超精细加工缩小到纳米级，这在技术上已具备，而且需要更多时间。
键合
SK海力士引进混合李健熙表示，该公司还计划从HBM4E代开始引入混合键合技术，该技术将用于20层以上的DRAM芯片。
在16层的第六代HBM（HBM4），该公司使用MR-MUF技术，该技术涉及用微凸块连接DRAM层之前，并用液体材料填充透明。
不过，他表示，20层以上开始，键合至关重要。
按键合通过铜对铜接触直接混合连接半导体层，覆盖微凸块，可实现芯片更薄、笔记本性能更好。
该公司预计，新的关键合方法将在性能和能效方面带来进一步优势。除了硬件创新之外，SK海力士还在积极争取其先进的2纳米工艺节点的客户。
韩国人工智能芯片公司DeepX就是其中之一，该公司最近签约成为其2纳米工艺节点之一，这一里程碑凸显了SK海力士在韩国人工智能半导体生态系统中迫切增长的作用。DeepX专注于嵌入在物理安全、机器人、家用电器、智能移动和智能相机等应用中的人工智能半导体。潜在正值全球人工智能芯片供应链竞争激烈的竞争之际，英伟达、台积电、三星和美光科技等行业竞相在对大型语言模型和高性能计算重要的内存技术方面获得性能和规模优势。
https://www.kedglobal.com/us/korean-chipmakers/newsView/ked202504180004
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